RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
63
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3125
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link