RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
63
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3299
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link