RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
63
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
4173
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link