RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
63
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3849
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link