RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
63
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
1617
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link