RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
63
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
1617
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link