RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
63
Autour de -75% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2581
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link