RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
63
Autour de -80% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3045
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link