RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
63
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3419
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
UMAX Technology 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link