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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
63
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
44
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2191
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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