RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2199
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link