RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
63
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3434
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link