RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
63
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2751
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link