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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
63
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3238
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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