RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
63
Autour de -232% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3397
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link