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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
63
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3029
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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