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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
3564
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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