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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
31
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
19
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
2991
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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