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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
2432
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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