RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparez
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Note globale
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Note globale
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
31
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1990
3178
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB Comparaison des RAM
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link