RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Comparez
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Note globale
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2305
2316
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link