RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Comparez
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Note globale
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
68
Autour de -162% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,944.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,973.0
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,944.9
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
673
3876
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link