RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparez
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Note globale
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
68
Autour de -36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,944.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
50
Vitesse de lecture, GB/s
3,973.0
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,944.9
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
673
2326
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link