RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
68
Autour de -119% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,944.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,973.0
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,944.9
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
673
2361
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link