RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3500
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link