RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
46
Autour de -31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
35
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2091
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link