RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3773
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link