RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
46
Autour de -119% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
21
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
4089
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link