RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3090
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link