RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
46
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
36
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2720
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link