RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2605
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link