RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2830
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link