RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Comparez
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Note globale
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
41
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2028
2767
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link