RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparez
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Note globale
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
67
Autour de 42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
67
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2376
2042
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Comparaison des RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link