RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparez
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Note globale
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
39
Autour de -5% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2376
2213
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Comparaison des RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link