RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparez
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Note globale
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
75
Autour de 48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
75
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2376
1763
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Comparaison des RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link