RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
81
87
Autour de -7% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
81
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
1515
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link