Comparaison de la RAM TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Note globale

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 16.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

870.4 13.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 87

Autour de -135% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 5300

Autour de 4.83 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

417 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns