RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
87
Autour de -156% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3606
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link