RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
87
Autour de -200% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3784
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link