RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
87
Autour de -123% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3177
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
OCZ OCZ2V8002G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link