RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
87
Autour de -200% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2384
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link