RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
87
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2359
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link