RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
87
Autour de -129% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2942
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link