RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
87
Autour de -222% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2628
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link