RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
87
Autour de -211% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3627
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link