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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
87
Autour de -123% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2489
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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