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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
87
Autour de -248% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2832
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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