RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
87
Autour de -248% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3402
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link