RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
87
Autour de -172% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3524
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link