RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
87
Autour de -107% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
42
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3126
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link